- 모델
- DGTD65T50S1PT
- 제조업체
- Diodes Incorporated
- 분류
- 단일 IGBT
- 캡슐화
- Tube
- RoHS
- 부합
규격 매개변수
- 부품 상태 Obsolete
- 장착 유형 Through Hole
- 패키지 / 케이스 TO-247-3
- 输入类型为韩文 Standard
- 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm) 200 A
- 역복구 시간 (trr) 80 ns
- 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
- 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 100 A
- 공급업체 장치 패키지 TO-247
- 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) 650 V
- 파워 - 최대 375 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- IGBT 유형 Field Stop
- 스위칭 에너지 770µJ (on), 550µJ (off)
- 게이트 충전 287 nC
- Td (on/off) @ 25°C 58ns/328ns
- 테스트 조건 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V