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제품

NXH100T120L3Q0S1NG

1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA

NXH100T120L3Q0S1NG
모델
NXH100T120L3Q0S1NG
제조업체
onsemi
분류
IGBT 모듈
캡슐화
Tray
RoHS
부합
데이터 시트
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규격 매개변수

  • 부품 상태 Active
  • 장착 유형 Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스 Module
  • IGBT 유형 -
  • 输入 Standard
  • 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • NTC 서미스터 Yes
  • 전류 - 컬렉터 차단 (최대) 200 µA
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 54 A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) 650 V
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 75A
  • 컨피규레이션 Three Level Inverter
  • 파워 - 최대 122 W
  • 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 4877 pF @ 25 V
  • 공급업체 장치 패키지 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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