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제품

NXH160T120L2Q2F2S1G

PIM POWER MODULE

NXH160T120L2Q2F2S1G
모델
NXH160T120L2Q2F2S1G
제조업체
onsemi
분류
IGBT 모듈
캡슐화
Tray
RoHS
부합
데이터 시트
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규격 매개변수

  • 부품 상태 Active
  • 장착 유형 Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스 Module
  • IGBT 유형 -
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) 1200 V
  • 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • 전류 - 컬렉터 차단 (최대) 500 µA
  • NTC 서미스터 Yes
  • 파워 - 최대 500 W
  • 컨피규레이션 Three Level Inverter
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 181 A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 160A
  • 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 38.8 nF @ 25 V
  • 공급업체 장치 패키지 56-PIM/Q2PACK (93x47)

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