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제품

NXH200T120H3Q2F2STNG

80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W

NXH200T120H3Q2F2STNG
모델
NXH200T120H3Q2F2STNG
제조업체
onsemi
분류
IGBT 모듈
캡슐화
Tray
RoHS
부합
데이터 시트
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규격 매개변수

  • 부품 상태 Active
  • 장착 유형 Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스 Module
  • 컨피규레이션 Half Bridge
  • 输入 Standard
  • NTC 서미스터 No
  • 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 전류 - 컬렉터 차단 (최대) 500 µA
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) 650 V
  • IGBT 유형 Trench Field Stop
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 330 A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
  • 공급업체 장치 패키지 56-PIM/Q2PACK (93x47)
  • 파워 - 최대 679 W
  • 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 35.615 nF @ 25 V

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