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제품

NXH240B120H3Q1PG-R

PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST

NXH240B120H3Q1PG-R
모델
NXH240B120H3Q1PG-R
제조업체
onsemi
분류
IGBT 모듈
캡슐화
Tray
RoHS
부합
데이터 시트
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규격 매개변수

  • 부품 상태 Obsolete
  • 장착 유형 Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스 Module
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대) 1200 V
  • 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 输入 Standard
  • NTC 서미스터 Yes
  • 전류 - 컬렉터 차단 (최대) 400 µA
  • IGBT 유형 Trench Field Stop
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대) 68 A
  • 컨피규레이션 Three Level Inverter
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
  • 파워 - 최대 158 W
  • 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 18.151 nF @ 20 V
  • 공급업체 장치 패키지 32-PIM (71x37.4)

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