- نموذج
- AFGB40T65RQDN
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- المورد الجهاز الحزمة TO-263 (D2PAK)
- الحزمة / العلبة TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- شحنة البوابة 51 nC
- تيار المجمع النبضي (Icm) 160 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 52 ns
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 68 A
- نوع IGBT Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.82V @ 15V, 40A
- الطاقة - الحد الأقصى 339.37 W
- طاقة التبديل 470µJ (on), 420µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 21ns/77ns
- شرط الاختبار 400V, 20A, 3Ohm, 15V
