- نموذج
- AFGHL75T65SQD
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 80 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 300 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 36 ns
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
- الطاقة - الحد الأقصى 375 W
- شحنة البوابة 136 nC
- طاقة التبديل 1.86mJ (on), 1.13mJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 25ns/106ns
- شرط الاختبار 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
