- نموذج
- AIKBE50N65RF5ATMA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q101
- الحزمة / العلبة TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع النبضي (Icm) 150 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 96 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- طاقة التبديل 120µJ (on), 90µJ (off)
- الطاقة - الحد الأقصى 326 W
- شحنة البوابة 108 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 16.8ns/136ns
- شرط الاختبار 400V, 25A, 9Ohm, 15V
- المورد الجهاز الحزمة PG-TO263-7-U04
