القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

AIKQB200N75CP2AKSA1

DISCRETE SWITCHES

AIKQB200N75CP2AKSA1
نموذج
AIKQB200N75CP2AKSA1
الشركة المصنعة
Infineon Technologies
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Tube
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • نوع التثبيت Through Hole
  • حالة القطعة Active
  • الصف Automotive
  • التأهيل AEC-Q101
  • الحزمة / العلبة TO-247-3
  • نوع IGBT -
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 750 V
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 600 A
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 250 A
  • الطاقة - الحد الأقصى 938 W
  • طاقة التبديل 15.3mJ (on), 7mJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 89ns/266ns
  • المورد الجهاز الحزمة PG-TO247-3-51
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 200A
  • شرط الاختبار 470V, 200A, 5Ohm, 15V
  • شحنة البوابة 1.256 µC

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة