- نموذج
- AOTF10B60D2
- الشركة المصنعة
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Not For New Designs
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 23 A
- الحزمة / العلبة TO-220-3 Full Pack
- المورد الجهاز الحزمة TO-220F
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 98 ns
- تيار المجمع النبضي (Icm) 20 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 5A
- طاقة التبديل 140µJ (on), 40µJ (off)
- شحنة البوابة 9.4 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 12ns/83ns
- شرط الاختبار 400V, 5A, 60Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 31.2 W
