- نموذج
- APT20GN60SDQ2G
- الشركة المصنعة
- Microchip Technology
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 40 A
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 30 ns
- الحزمة / العلبة TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- شحنة البوابة 120 nC
- تيار المجمع النبضي (Icm) 60 A
- المورد الجهاز الحزمة D3PAK
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A
- الطاقة - الحد الأقصى 136 W
- طاقة التبديل 230µJ (on), 580µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 9ns/140ns
- شرط الاختبار 400V, 20A, 4.3Ohm, 15V
