- نموذج
- APT25GN120SG/TR
- الشركة المصنعة
- Microchip Technology
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Cut Tape (CT)
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- الحزمة / العلبة TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- شحنة البوابة 155 nC
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 67 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 75 A
- المورد الجهاز الحزمة D3PAK
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 25A
- الطاقة - الحد الأقصى 272 W
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 22ns/280ns
- شرط الاختبار 800V, 25A, 1Ohm, 15V
- طاقة التبديل -, 2.15J (off)
