القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

APT25GP120BSC15

IGBT PT MOS 7 SIC COMBI 1200 V 2

APT25GP120BSC15
نموذج
APT25GP120BSC15
الشركة المصنعة
Microchip Technology
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Tube
RoHS
مطابق

المواصفات التقنية

  • نوع التثبيت Through Hole
  • حالة القطعة Active
  • الصف -
  • التأهيل -
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة TO-247-3
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic -
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
  • شحنة البوابة 110 nC
  • المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
  • نوع IGBT PT
  • شرط الاختبار 600V, 25A, 5Ohm, 15V
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 90 A
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 69 A
  • الطاقة - الحد الأقصى 417 W
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 12ns/70ns
  • طاقة التبديل 560µJ (on), 440µJ (off)

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة