- نموذج
- APT30GP60LDLG
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- شحنة البوابة 90 nC
- الحزمة / العلبة TO-264-3, TO-264AA
- نوع IGBT PT
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
- المورد الجهاز الحزمة TO-264
- الطاقة - الحد الأقصى 463 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A
- طاقة التبديل 260µJ (on), 250µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 13ns/55ns
- شرط الاختبار 400V, 30A, 5Ohm, 15V
