- نموذج
- APT45GR65SSCD10
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Surface Mount
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- نوع IGBT NPT
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 80 ns
- الحزمة / العلبة TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- الطاقة - الحد الأقصى 543 W
- المورد الجهاز الحزمة D3PAK
- شحنة البوابة 203 nC
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 118 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 45A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 15ns/100ns
- شرط الاختبار 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V
- تيار المجمع النبضي (Icm) 224 A
