- نموذج
- APT50GN60BDQ3G
- الشركة المصنعة
- Microchip Technology
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 35 ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
- تيار المجمع النبضي (Icm) 150 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 107 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 50A
- الطاقة - الحد الأقصى 366 W
- شحنة البوابة 325 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 20ns/230ns
- شرط الاختبار 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
- طاقة التبديل 1.185mJ (on), 1.565mJ (off)
