- نموذج
- APT50GP60LDLG
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
- الحزمة / العلبة TO-264-3, TO-264AA
- نوع IGBT PT
- المورد الجهاز الحزمة TO-264
- الطاقة - الحد الأقصى 625 W
- شحنة البوابة 165 nC
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 150 A
- شرط الاختبار 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
- تيار المجمع النبضي (Icm) 190 A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 19ns/85ns
- طاقة التبديل 456µJ (on), 635µJ (off)
