- نموذج
- APT70GR65B2SCD30
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- نوع IGBT NPT
- الطاقة - الحد الأقصى 595 W
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- المورد الجهاز الحزمة T-MAX™ [B2]
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 134 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 260 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 70A
- شحنة البوابة 305 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 19ns/170ns
- شرط الاختبار 433V, 70A, 4.3Ohm, 15V
