- نموذج
- APTCV60HM70BT3G
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- الطاقة - الحد الأقصى 250 W
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 250 µA
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- الحزمة / العلبة SP3
- المورد الجهاز الحزمة SP3
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3.15 nF @ 25 V
- تكوين Boost Chopper, Full Bridge
