- نموذج
- APTGF90DA60CT1G
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- درجة حرارة التشغيل -
- تكوين Single
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- المدخلات Standard
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 250 µA
- نوع IGBT NPT
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 110 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 100A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 4.3 nF @ 25 V
- الطاقة - الحد الأقصى 416 W
- الحزمة / العلبة SP1
- المورد الجهاز الحزمة SP1
