- نموذج
- APTGT100DH60T3G
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- المدخلات Standard
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 250 µA
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 150 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- الحزمة / العلبة SP3
- المورد الجهاز الحزمة SP3
- تكوين Asymmetrical Bridge
- الطاقة - الحد الأقصى 340 W
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 6.1 nF @ 25 V
