- نموذج
- APTGT50A1202G
- الشركة المصنعة
- Microsemi Corporation
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- تكوين Half Bridge
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 75 A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 50 µA
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3.6 nF @ 25 V
- الطاقة - الحد الأقصى 277 W
- الحزمة / العلبة SP2
- المورد الجهاز الحزمة SP2
