- نموذج
- APTGX50H120T1G
- الشركة المصنعة
- Microchip Technology
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 90 A
- المدخلات Standard
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 10 µA
- تكوين Full Bridge
- الطاقة - الحد الأقصى 276 W
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 11100 pF @ 25 V
