- نموذج
- DF900R12IP4DPB60BPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- المدخلات Standard
- المورد الجهاز الحزمة Module
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 500 µA
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 900 A
- تكوين Single Chopper
- الطاقة - الحد الأقصى 5100 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 900A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 54000 pF @ 25 V
