القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

DGTD65T15H2TF

IGBT FIELD STP 650V 30A ITO220AB

DGTD65T15H2TF
نموذج
DGTD65T15H2TF
الشركة المصنعة
Diodes Incorporated
التصنيف
IGBTs الفردية
التغليف
Tube
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • نوع التثبيت Through Hole
  • حالة القطعة Active
  • وقت الاسترداد العكسي (trr) 150 ns
  • 输入类型为阿拉伯文 Standard
  • الحزمة / العلبة TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 30 A
  • تيار المجمع النبضي (Icm) 60 A
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
  • المورد الجهاز الحزمة ITO-220AB
  • الطاقة - الحد الأقصى 48 W
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • شرط الاختبار 400V, 15A, 10Ohm, 15V
  • نوع IGBT Field Stop
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
  • شحنة البوابة 61 nC
  • طاقة التبديل 270µJ (on), 86µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 19ns/128ns

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة