- نموذج
- DGTD65T40S1PT
- الشركة المصنعة
- Diodes Incorporated
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 160 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 145 ns
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 80 A
- المورد الجهاز الحزمة TO-247
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
- شرط الاختبار 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 341 W
- طاقة التبديل 1.15mJ (on), 350µJ (off)
- شحنة البوابة 219 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 58ns/245ns
