- نموذج
- DGTD65T50S1PT
- الشركة المصنعة
- Diodes Incorporated
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- تيار المجمع النبضي (Icm) 200 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 80 ns
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
- المورد الجهاز الحزمة TO-247
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- الطاقة - الحد الأقصى 375 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- نوع IGBT Field Stop
- طاقة التبديل 770µJ (on), 550µJ (off)
- شحنة البوابة 287 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 58ns/328ns
- شرط الاختبار 400V, 50A, 7.9Ohm, 15V
