- نموذج
- F475R12KS4B11BPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 125°C (TJ)
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- الطاقة - الحد الأقصى 500 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 5.1 nF @ 25 V
- تكوين Full Bridge Inverter
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 75A
- المورد الجهاز الحزمة AG-ECONO2C
