- نموذج
- FF200R17KE4PHPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1700 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 18 nF @ 25 V
- الطاقة - الحد الأقصى 1250 W
- تكوين Half Bridge Inverter
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 310 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
- المورد الجهاز الحزمة AG-62MMHB
