- نموذج
- FF650R17IE4B60BPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- المورد الجهاز الحزمة -
- الحزمة / العلبة Module
- نوع IGBT -
- المدخلات Standard
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5 mA
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1700 V
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- تكوين Half Bridge Inverter
- الطاقة - الحد الأقصى 4150 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 650A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 930 A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 54000 pF @ 25 V
