- نموذج
- FF75R12W1T7EB11BPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- المدخلات Standard
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 65 A
- الطاقة - الحد الأقصى 20 mW
- تكوين Half Bridge Inverter
- المورد الجهاز الحزمة AG-EASY1B
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5.6 µA
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 75A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 15100 pF @ 25 V
