- نموذج
- FGA30N65SMD
- الشركة المصنعة
- Fairchild Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 35 ns
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 60 A
- الطاقة - الحد الأقصى 300 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
- المورد الجهاز الحزمة TO-3PN
- تيار المجمع النبضي (Icm) 90 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- شحنة البوابة 87 nC
- نوع IGBT Field Stop
- طاقة التبديل 716µJ (on), 208µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 14ns/102ns
- شرط الاختبار 400V, 30A, 6Ohm, 15V
