- نموذج
- FGA5065ADF
- الشركة المصنعة
- Fairchild Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- المورد الجهاز الحزمة TO-3PN
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 150 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 50A
- الطاقة - الحد الأقصى 268 W
- شرط الاختبار 400V, 50A, 6Ohm, 15V
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 31.8 ns
- شحنة البوابة 72.2 nC
- طاقة التبديل 1.35mJ (on), 309µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 20.8ns/62.4ns
