- نموذج
- FGPF30N30TDTU
- الشركة المصنعة
- Fairchild Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 300 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-220-3 Full Pack
- طاقة التبديل -
- شحنة البوابة 65 nC
- تيار المجمع النبضي (Icm) 80 A
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 22 ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-220F-3
- نوع IGBT Trench
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 22ns/130ns
- الطاقة - الحد الأقصى 44.6 W
- شرط الاختبار 200V, 20A, 20Ohm, 15V
