- نموذج
- FGY4L75T120SWD
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- الصف -
- التأهيل -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تيار المجمع النبضي (Icm) 300 A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 150 A
- الحزمة / العلبة TO-247-4
- المورد الجهاز الحزمة TO-247-4L
- نوع IGBT Field Stop
- الطاقة - الحد الأقصى 652 W
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
- طاقة التبديل 2.9mJ (on), 2.1mJ (off)
- شحنة البوابة 225.6 nC
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 65.6ns/241.6ns
- شرط الاختبار 600V, 75A, 11.5Ohm, 15V
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 208 ns
