- نموذج
- FGY75T120SWD
- الشركة المصنعة
- onsemi
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- الحزمة / العلبة TO-247-3 Variant
- المورد الجهاز الحزمة TO-247-3
- تيار المجمع النبضي (Icm) 300 A
- شحنة البوابة 214 nC
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 150 A
- نوع IGBT Field Stop
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
- شرط الاختبار 600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
- الطاقة - الحد الأقصى 503 W
- طاقة التبديل 5mJ (on), 2.32mJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 42ns/171ns
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 307 ns
