القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

FII24N170AH1

IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5

FII24N170AH1
نموذج
FII24N170AH1
الشركة المصنعة
IXYS
التصنيف
مصفوفات IGBT
التغليف
Tube
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Through Hole
  • درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
  • تكوين Half Bridge
  • المدخلات Standard
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • نوع IGBT NPT
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1700 V
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 100 µA
  • المورد الجهاز الحزمة ISOPLUS i4-PAC™
  • الحزمة / العلبة i4-Pac™-4, Isolated
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 18 A
  • الطاقة - الحد الأقصى 140 W
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 16A
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 2.4 nF @ 25 V

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة