القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

FMM7G50US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

FMM7G50US60I
نموذج
FMM7G50US60I
الشركة المصنعة
Fairchild Semiconductor
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Bulk
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Obsolete
  • نوع التثبيت Through Hole
  • المورد الجهاز الحزمة -
  • الحزمة / العلبة Module
  • نوع IGBT -
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 250 µA
  • تكوين Three Phase Inverter with Brake
  • المدخلات Three Phase Bridge Rectifier
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • الطاقة - الحد الأقصى 139 W
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3.565 nF @ 30 V

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة