- نموذج
- FP50R12W3T7B11BPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تكوين Three Phase Inverter
- المورد الجهاز الحزمة Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- المدخلات Three Phase Bridge Rectifier
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
- نوع IGBT Trench Field Stop
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 6.62 nF @ 25 V
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 13 µA
