القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

FPF2C8P2NL07A

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

FPF2C8P2NL07A
نموذج
FPF2C8P2NL07A
الشركة المصنعة
Fairchild Semiconductor
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Bulk
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
  • المدخلات Standard
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 250 µA
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 30 A
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
  • الطاقة - الحد الأقصى 135 W
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
  • نوع IGBT Field Stop
  • تكوين Three Phase
  • الحزمة / العلبة F2 Module
  • المورد الجهاز الحزمة F2

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة