- نموذج
- FS650R08A4P2BPSA1
- الشركة المصنعة
- Infineon Technologies
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الحزمة / العلبة Module
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- تكوين Three Phase Inverter
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) Yes
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 750 V
- نوع IGBT Trench Field Stop
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 375 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.35V @ 15V, 375A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 65 nF @ 50 V
- المورد الجهاز الحزمة AG-HYBDC6I-1
