القائمة
اتصل
واطلب عرض سعر
المنتج

FZ1000R65KE4NPSA1

IHV IHM T

FZ1000R65KE4NPSA1
نموذج
FZ1000R65KE4NPSA1
الشركة المصنعة
Infineon Technologies
التصنيف
وحدات IGBT
التغليف
Tray
RoHS
مطابق
دليل البيانات
تحميل

المواصفات التقنية

  • حالة القطعة Active
  • نوع التثبيت Chassis Mount
  • المورد الجهاز الحزمة -
  • تكوين Single
  • الحزمة / العلبة Module
  • مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
  • تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 5 mA
  • نوع IGBT Trench Field Stop
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 6500 V
  • المدخلات DC
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 1 kA
  • الطاقة - الحد الأقصى 3600000 W
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 3.25V @ 15V, 1kA
  • السعة المدخلة (Cies) عند Vce 245000 pF @ 25 V
  • درجة حرارة التشغيل -50°C ~ 135°C (TJ)

امسح رمز الاستجابة السريعة (QR Code) لمتابعة حسابنا على منصة وي تشات.

رمز الاستجابة السريعة لـ WeChat
إغلاق نافذة WeChat المنبثقة