- نموذج
- GA35XCP12-247
- الشركة المصنعة
- GeneSiC Semiconductor
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 150°C (TJ)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية -
- شحنة البوابة 50 nC
- نوع IGBT PT
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 36 ns
- المورد الجهاز الحزمة TO-247AB
- تيار المجمع النبضي (Icm) 35 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 35A
- طاقة التبديل 2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
- شرط الاختبار 800V, 35A, 22Ohm, 15V
