- نموذج
- GB100XCP12-227
- الشركة المصنعة
- GeneSiC Semiconductor
- التصنيف
- وحدات IGBT
- التغليف
- Bulk
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- تكوين Single
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- المورد الجهاز الحزمة SOT-227
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 175°C (TJ)
- نوع IGBT PT
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 100 A
- الحزمة / العلبة SOT-227-4
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 8.55 nF @ 25 V
