- نموذج
- GT10J312(Q)
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- المورد الجهاز الحزمة -
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 200 ns
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الطاقة - الحد الأقصى 60 W
- طاقة التبديل -
- الحزمة / العلبة TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 10 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 20 A
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 400ns/400ns
- شرط الاختبار 300V, 10A, 100Ohm, 15V
