- نموذج
- GT15J341,S4X
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- درجة حرارة التشغيل 150°C (TJ)
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-220-3 Full Pack
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 80 ns
- تيار المجمع النبضي (Icm) 60 A
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 15 A
- الطاقة - الحد الأقصى 30 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-220SIS
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 60ns/170ns
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
- طاقة التبديل 300µJ (on), 300µJ (off)
- شرط الاختبار 300V, 15A, 33Ohm, 15V
