- نموذج
- GT30J121(Q)
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- نوع IGBT -
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 30 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 60 A
- الطاقة - الحد الأقصى 170 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(N)
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 30A
- طاقة التبديل 1mJ (on), 800µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 90ns/300ns
- شرط الاختبار 300V, 30A, 24Ohm, 15V
