- نموذج
- GT30J341,Q
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tray
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Last Time Buy
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 50 ns
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى 230 W
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(N)
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
- شرط الاختبار 300V, 30A, 24Ohm, 15V
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 59 A
- طاقة التبديل 800µJ (on), 600µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 80ns/280ns
