- نموذج
- GT30J65MRB,S1E
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- وقت الاسترداد العكسي (trr) 200 ns
- نوع IGBT -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- الطاقة - الحد الأقصى 200 W
- الحزمة / العلبة TO-3P-3, SC-65-3
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 60 A
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- شحنة البوابة 70 nC
- المورد الجهاز الحزمة TO-3P(N)
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 650 V
- طاقة التبديل 1.4mJ (on), 220µJ (off)
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية 75ns/400ns
- شرط الاختبار 400V, 15A, 56Ohm, 15V
