- نموذج
- GT30N135SRA,S1E
- الشركة المصنعة
- Toshiba Semiconductor and Storage
- التصنيف
- IGBTs الفردية
- التغليف
- Tube
- RoHS
- مطابق
- دليل البيانات
- تحميل
المواصفات التقنية
- نوع التثبيت Through Hole
- حالة القطعة Active
- الحزمة / العلبة TO-247-3
- نوع IGBT -
- 输入类型为阿拉伯文 Standard
- Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية -
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 60 A
- تيار المجمع النبضي (Icm) 120 A
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- المورد الجهاز الحزمة TO-247
- شحنة البوابة 270 nC
- الطاقة - الحد الأقصى 348 W
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1350 V
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 60A
- طاقة التبديل -, 1.3mJ (off)
- شرط الاختبار 300V, 60A, 39Ohm, 15V
